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SSM3J56MFV,L3F(T
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.31 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3J56MFV,L3F(T
Bestellnummer3872277
Auch bekannt alsSSM3J56MFV ,SSM3J56MFV,L3F
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,939 € |
| 50+ | 0,572 € |
| 250+ | 0,263 € |
| 1000+ | 0,182 € |
| 4000+ | 0,180 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3J56MFV,L3F(T
Bestellnummer3872277
Auch bekannt alsSSM3J56MFV ,SSM3J56MFV,L3F
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.31ohm
Bauform - TransistorSOT-723
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung150mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
800mA
Bauform - Transistor
SOT-723
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
150mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.31ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung