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GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerGT30J65MRB,S1E(S
Bestellnummer4153421
Auch bekannt alsGT30J65MRB ,GT30J65MRB,S1E
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,920 € |
| 10+ | 2,790 € |
| 100+ | 2,350 € |
| 500+ | 1,910 € |
| 1000+ | 1,470 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,92 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerGT30J65MRB,S1E(S
Bestellnummer4153421
Auch bekannt alsGT30J65MRB ,GT30J65MRB,S1E
Technisches Datenblatt
Kontinuierlicher Kollektorstrom60A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.4V
Verlustleistung200W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-3P
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kontinuierlicher Kollektorstrom
60A
Verlustleistung
200W
Bauform - Transistor
TO-3P
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.4V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0046
Produktnachverfolgung