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2SK880-GR(TE85L,F)
JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK880-GR(TE85L,F)
Bestellnummer3872219
Auch bekannt als2SK880-GR, 2SK880-GR(TE85L
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,686 € |
| 50+ | 0,440 € |
| 100+ | 0,294 € |
| 500+ | 0,237 € |
| 1500+ | 0,213 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK880-GR(TE85L,F)
Bestellnummer3872219
Auch bekannt als2SK880-GR, 2SK880-GR(TE85L
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.1.2mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.1.5V
Bauform - TransistorSOT-323
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.125°C
TransistortypMOSFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
1.2mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Betriebstemperatur, max.
125°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
14mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
MOSFET
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung