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HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK208-O(TE85L,F)
Bestellnummer3872213RL
Auch bekannt als2SK208-O, 2SK208-O(TE85L
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,216 € |
500+ | 0,170 € |
1000+ | 0,140 € |
5000+ | 0,115 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK208-O(TE85L,F)
Bestellnummer3872213RL
Auch bekannt als2SK208-O, 2SK208-O(TE85L
Technisches Datenblatt
Durchbruchspannung Vbr50V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.300µA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.5V
Bauform - TransistorTO-236MOD
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypMOSFET
Betriebstemperatur, max.125°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Durchbruchspannung Vbr
50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
300µA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
125°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
To Be Advised
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
6.5mA
Bauform - Transistor
TO-236MOD
Transistortyp
MOSFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung