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XP152A12C0MR-G
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,803 € |
| 10+ | 0,568 € |
| 100+ | 0,427 € |
| 500+ | 0,331 € |
| 1000+ | 0,299 € |
| 5000+ | 0,231 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOREX
HerstellerteilenummerXP152A12C0MR-G
Bestellnummer3534774
ProduktpaletteXP152
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.23ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteXP152
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
700mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.23ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
XP152
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung