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VLS252012HBX-4R7M-1
Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.65 A, Geschirmt, 1.9 A, VLS-HBX-1 Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerVLS252012HBX-4R7M-1
Bestellnummer2455396RL
ProduktpaletteVLS-HBX-1 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,179 € |
| 250+ | 0,150 € |
| 500+ | 0,139 € |
| 1000+ | 0,127 € |
| 2000+ | 0,120 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerVLS252012HBX-4R7M-1
Bestellnummer2455396RL
ProduktpaletteVLS-HBX-1 Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
RMS-Strom Irms1.65A
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)1.9A
ProduktpaletteVLS-HBX-1 Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
Bauform - Leistungsinduktivität2.5mm x 2mm x 1.2mm
DC-Widerstand, max.0.24ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
VLS-HBX-1 Series
Bauform - Leistungsinduktivität
2.5mm x 2mm x 1.2mm
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
RMS-Strom Irms
1.65A
Sättigungsstrom (Isat)
1.9A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
DC-Widerstand, max.
0.24ohm
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (3)
Alternativen für VLS252012HBX-4R7M-1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03
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