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VLS2012ET-100M
Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 530 mA, Geschirmt, 520 mA, VLS-E Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerVLS2012ET-100M
Bestellnummer2455338
ProduktpaletteVLS-E Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,243 € |
| 50+ | 0,221 € |
| 250+ | 0,181 € |
| 500+ | 0,167 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerVLS2012ET-100M
Bestellnummer2455338
ProduktpaletteVLS-E Series
Technisches Datenblatt
Induktivität10µH
RMS-Strom Irms530mA
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)520mA
ProduktpaletteVLS-E Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
Bauform - Leistungsinduktivität2mm x 2mm x 1.2mm
DC-Widerstand, max.0.834ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativen für VLS2012ET-100M
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
Nicht empfohlen für neue Designs
Technische Spezifikationen
Induktivität
10µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
VLS-E Series
Bauform - Leistungsinduktivität
2mm x 2mm x 1.2mm
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
RMS-Strom Irms
530mA
Sättigungsstrom (Isat)
520mA
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
DC-Widerstand, max.
0.834ohm
Produktlänge
2mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.017