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TFM252012ALMA2R2MTAA
Dünnschichtinduktivität, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, 1008 [Metrisch 2520], TFM-ALMA Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerTFM252012ALMA2R2MTAA
Bestellnummer3225167
ProduktpaletteTFM-ALMA Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,477 € |
| 50+ | 0,412 € |
| 250+ | 0,339 € |
| 500+ | 0,312 € |
| 1500+ | 0,284 € |
| 3000+ | 0,264 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerTFM252012ALMA2R2MTAA
Bestellnummer3225167
ProduktpaletteTFM-ALMA Series
Technisches Datenblatt
Induktivität2.2µH
DC-Widerstand, max.0.084ohm
Eigenresonanzfrequenz-
DC-Nennstrom2.8A
Bauform/Gehäuse der Induktivität1008 [Metrisch 2520]
ProduktpaletteTFM-ALMA Series
Induktivitätstoleranz± 20%
Bauart der InduktivitätGeschirmt
KernmaterialMetall
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
2.2µH
Eigenresonanzfrequenz
-
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1008 [Metrisch 2520]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Kernmaterial
Metall
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC-Widerstand, max.
0.084ohm
DC-Nennstrom
2.8A
Produktpalette
TFM-ALMA Series
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.05
Produktnachverfolgung