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NLV32T-100J-EF
Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 2.1 ohm, 30 MHz, 150 mA, 1210 [Metrisch 3225]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerNLV32T-100J-EF
Bestellnummer2747867RL
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,139 € |
| 250+ | 0,112 € |
| 500+ | 0,0964 € |
| 1000+ | 0,0807 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerNLV32T-100J-EF
Bestellnummer2747867RL
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Technisches Datenblatt
Induktivität10µH
DC-Widerstand, max.2.1ohm
Eigenresonanzfrequenz30MHz
DC-Nennstrom150mA
Bauform/Gehäuse der Induktivität1210 [Metrisch 3225]
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Induktivitätstoleranz± 5%
Bauart der InduktivitätUngeschirmt
KernmaterialFerrit
Produktlänge3.2mm
Produktbreite2.5mm
Produkthöhe2.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
10µH
Eigenresonanzfrequenz
30MHz
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1210 [Metrisch 3225]
Induktivitätstoleranz
± 5%
Kernmaterial
Ferrit
Produktbreite
2.5mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC-Widerstand, max.
2.1ohm
DC-Nennstrom
150mA
Produktpalette
NLV32-EF Series
Bauart der Induktivität
Ungeschirmt
Produktlänge
3.2mm
Produkthöhe
2.2mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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