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TSM2302CX RFG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM2302CX RFG
Bestellnummer2628137RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,275 € |
| 500+ | 0,252 € |
| 1500+ | 0,228 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM2302CX RFG
Bestellnummer2628137RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id2.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.950mV
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.8A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
950mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für TSM2302CX RFG
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000245
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