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ESH1DM
Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerESH1DM
Bestellnummer3772983
ProduktpaletteESH1xM Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,429 € |
| 10+ | 0,261 € |
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,127 € |
| 1000+ | 0,103 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
2,14 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerESH1DM
Bestellnummer3772983
ProduktpaletteESH1xM Series
Technisches Datenblatt
Periodische Spitzensperrspannung200V
Durchschnittlicher Durchlassstrom1A
DiodenkonfigurationEinfach
Durchlassspannung, max.1.5V
Sperrverzögerungszeit25ns
Durchlassstoßstrom15A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeMicroSMA
Anzahl der Pins2 Pins
ProduktpaletteESH1xM Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Periodische Spitzensperrspannung
200V
Diodenkonfiguration
Einfach
Sperrverzögerungszeit
25ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
2 Pins
Qualifikation
-
Durchschnittlicher Durchlassstrom
1A
Durchlassspannung, max.
1.5V
Durchlassstoßstrom
15A
Bauform - Diode
MicroSMA
Produktpalette
ESH1xM Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung