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1N4935G
Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
Herstellerteilenummer1N4935G
Bestellnummer2677323
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,352 € |
| 10+ | 0,239 € |
| 100+ | 0,126 € |
| 500+ | 0,0867 € |
| 1000+ | 0,063 € |
| 5000+ | 0,0465 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 5
Mehrere: 5
1,76 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
Herstellerteilenummer1N4935G
Bestellnummer2677323
Technisches Datenblatt
Wiederkehrende Spitzensperrspannung200V
Durchschnittlicher Durchlassstrom1A
DiodenkonfigurationEinfach
Durchlassspannung, max.1.2V
Sperrverzögerungszeit200ns
Durchlassstoßstrom30A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeDO-41 (DO-204AL)
Anzahl der Pins2Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
200V
Diodenkonfiguration
Einfach
Sperrverzögerungszeit
200ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Qualifikation
-
Durchschnittlicher Durchlassstrom
1A
Durchlassspannung, max.
1.2V
Durchlassstoßstrom
30A
Bauform - Diode
DO-41 (DO-204AL)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 1N4935G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00034