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1N4007G
Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
Herstellerteilenummer1N4007G
Bestellnummer2677362
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,347 € |
| 10+ | 0,220 € |
| 100+ | 0,0854 € |
| 500+ | 0,0705 € |
| 1000+ | 0,0556 € |
| 5000+ | 0,0447 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
Herstellerteilenummer1N4007G
Bestellnummer2677362
Technisches Datenblatt
Wiederkehrende Spitzensperrspannung1kV
Durchschnittlicher Durchlassstrom1A
DiodenkonfigurationEinfach
Durchlassspannung, max.1V
Sperrverzögerungszeit-ns
Durchlassstoßstrom30A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeDO-41 (DO-204AL)
Anzahl der Pins2Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
1N4007G ist ein glaspassiverter Gleichrichter (1A, 1000V) in einem DO-41 (DO-204AL)-Gehäuse.
- Glaspassivierte Chip-Sperrschicht
- Hohe Strombelastbarkeit, niedrige VF
- Hohe Zuverlässigkeit
- Hohe Stoßstromfestigkeit
- Geringer Leistungsverlust, hoher Wirkungsgrad
Technische Spezifikationen
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
1kV
Diodenkonfiguration
Einfach
Sperrverzögerungszeit
-ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Qualifikation
-
Durchschnittlicher Durchlassstrom
1A
Durchlassspannung, max.
1V
Durchlassstoßstrom
30A
Bauform - Diode
DO-41 (DO-204AL)
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 1N4007G
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00034
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