VNS3NV04DPTR-E

Der VNS3NV04DPTR-E ist ein Leistungs-MOSFET mit vollständigen eigenen Schutzfunktionen, der für Kfz-Anwendungen ausgelegt ist und aus zwei monolithischen Chips (OMNIFET II) besteht, die in einem Standard-Gehäuse untergebracht sind. Der OMNIFET II-Baustein wurde mithilfe der VI Power M0-3-Technologie von STMicroelectronics als Ersatz für herkömmliche Leistungs-MOSFETs in DC-Anwendungen mit bis zu 50kHz entwickelt. Dank integrierter Überhitzungsabschaltung, linearer Strombegrenzung und Überspannungsbegrenzung ist der Chip in rauen Umgebungen geschützt. Zur Fehlerrückmeldung kann die Spannung am Eingangspin überwacht werden.

• Qualifiziert nach AEC-Q100; lineare Strombegrenzung
• Überhitzungsschutzabschaltung, Kurzschlussschutz, integrierte Begrenzungsspannung
• Geringe Stromentnahme vom Eingangspin
• Diagnoserückmeldung über Eingangspin; ESD-Schutz
• Direkter Zugriff auf das Gate des Leistungs-MOSFET (analoge Ansteuerung)
• Kompatibel mit Standard-Leistungs-MOSFET
• Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 120 mOhm (VIN = 5V, ID = 1.5A, Tj = 25°C)
• Drain-Strombegrenzung: typ. 5A (VIN = 5V; VDS = 13V, -40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
• Drain-Source-Begrenzungsspannung: typ. 45V (VIN = 0V, ID = 1.5A, -40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
• SO-8-Gehäuse; Betriebstemperatur: -40°C bis 150°C

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.