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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW58N60DM2AG
Bestellnummer3367087
ProduktpaletteMDmesh DM2
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 10,530 € |
5+ | 10,520 € |
10+ | 10,500 € |
50+ | 5,520 € |
100+ | 4,890 € |
250+ | 4,770 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
10,53 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW58N60DM2AG
Bestellnummer3367087
ProduktpaletteMDmesh DM2
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.052ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung360W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh DM2
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
360W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.052ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh DM2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443
Produktnachverfolgung