STPSC10H065G-TR
Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,900 € |
| 500+ | 1,530 € |
| 1000+ | 1,430 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The STPSC10H065G-TR is a Power Schottky Silicon Carbide Diode features ultra high performance. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. It is especially suited for use in PFC applications and this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
- No or negligible reverse recovery
- Switching behaviour independent of temperature
- High forward surge capability
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
650V
650V
28.5nC
3 Pins
Oberflächenmontage
No SVHC (21-Jan-2025)
Einfach
10A
TO-263 (D2PAK)
175°C
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat