STP60NF06L
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,630 € |
| 10+ | 1,070 € |
| 100+ | 0,988 € |
| 500+ | 0,891 € |
| 1000+ | 0,824 € |
| 5000+ | 0,775 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
STP60NF06L von STMicroelectronics ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit STripFET II-Technologie für 60V zur Durchsteckmontage in TO-220-Bauform. Dieser Leistungs-MOSFET wird mit dem einzigartigen STripFET-Verfahren gefertigt, das für eine minimale Eingangskapazität und Gate-Ladung sorgt. Er ist daher als Primärschalter für fortschrittliche hocheffiziente isolierte DC/DC-Wandler für Telekommunikations- und Computer-Anwendungen sowie für alle Anwendungen geeignet, die eine Ansteuerung mit niedriger Gate-Ladung benötigen.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- Avalanche-getestet
- Drain/Source-Spannung (Vds): 60V
- Gate/Source-Spannung: ± 15V
- Dauer-Drainstrom (Id): 60A
- Verlustleistung (pd): 110W
- Niedriger Durchgangswiderstand: 12 mOhm bei Vgs = 10V
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -65°C bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie
Technische Spezifikationen
n-Kanal
60A
TO-220
10V
110W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
60V
0.014ohm
Durchsteckmontage
1V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STP60NF06L
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat