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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTN3P6F6
Bestellnummer2629749RL
ProduktpaletteDeepGATE STripFET VI
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,436 € |
500+ | 0,378 € |
1000+ | 0,348 € |
5000+ | 0,336 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTN3P6F6
Bestellnummer2629749RL
ProduktpaletteDeepGATE STripFET VI
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.13ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung2.6W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteDeepGATE STripFET VI
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.6W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.13ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
DeepGATE STripFET VI
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STN3P6F6
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00011
Produktnachverfolgung