Seite drucken
STN2NF10
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTN2NF10
Bestellnummer9935460RL
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,868 € |
| 250+ | 0,629 € |
| 1000+ | 0,451 € |
| 2000+ | 0,438 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
91,80 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTN2NF10
Bestellnummer9935460RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.26ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung3.3W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STN2NF10 handelt es sich um einen STripFET™ II-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der unter Verwendung des einzigartigen Single Feature Size™-Strip-basierten Verfahrens hergestellt wird. Der Baustein zeichnet sich durch eine äußerst hohe Packungsdichte für einen niedrigen Durchgangswiderstand und ein robustes Avalanche-Verhalten aus. Zudem sind weniger Schritte zur Ausrichtung erforderlich, wodurch eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit in der Herstellung erzielt wird.
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.26ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für STN2NF10
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000389
Produktnachverfolgung