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STL320N4LF8
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL320N4LF8
Bestellnummer4067500
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,740 € |
| 10+ | 2,090 € |
| 100+ | 1,490 € |
| 500+ | 1,150 € |
| 1000+ | 1,100 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,74 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL320N4LF8
Bestellnummer4067500
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id360A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00055ohm
Bauform - TransistorPowerFLAT 5x6
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung188W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
360A
Bauform - Transistor
PowerFLAT 5x6
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
188W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00055ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000076
Produktnachverfolgung