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STL20N6F7
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL20N6F7
Bestellnummer3132750
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 1,370 € |
| 50+ | 0,960 € |
| 100+ | 0,747 € |
| 500+ | 0,633 € |
| 1500+ | 0,530 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL20N6F7
Bestellnummer3132750
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0046ohm
Bauform - TransistorPowerFLAT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung78W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSTripFET F7
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
PowerFLAT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
78W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0046ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
STripFET F7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00035
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