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STL130N4LF8
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 124 A, 0.0033 ohm, PowerFLAT 3.3x3.3
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL130N4LF8
Bestellnummer4632670
ProduktpaletteSTripFET F8 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,910 € |
| 10+ | 1,220 € |
| 100+ | 0,834 € |
| 500+ | 0,673 € |
| 1000+ | 0,621 € |
| 5000+ | 0,567 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,91 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL130N4LF8
Bestellnummer4632670
ProduktpaletteSTripFET F8 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id124A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0033ohm
Bauform - TransistorPowerFLAT 3.3x3.3
Transistormontage-
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.-
Verlustleistung64W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.-
ProduktpaletteSTripFET F8 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
124A
Bauform - Transistor
PowerFLAT 3.3x3.3
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
64W
Betriebstemperatur, max.
-
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0033ohm
Transistormontage
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
STripFET F8 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Keine Angabe
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.026