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STH275N8F7-6AG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0017 ohm, H2PAK-6, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTH275N8F7-6AG
Bestellnummer3132746RL
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,710 € |
| 500+ | 2,460 € |
| 1000+ | 2,410 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
276,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTH275N8F7-6AG
Bestellnummer3132746RL
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id180A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0017ohm
Bauform - TransistorH2PAK-6
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung315W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteSTripFET F7
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STH275N8F7-6AG is an automotive-grade N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET. This N-channel power MOSFET utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Typically used for switching applications.
- AEC-Q101 qualified
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 80V drain-source breakdown voltage
- 2.1mohm static drain-source on-resistance max
- 180A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range -55 to 175°C
- H²PAK-6 package
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
180A
Bauform - Transistor
H2PAK-6
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
315W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0017ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
STripFET F7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00035
Produktnachverfolgung