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STGWA8M120DF3
IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGWA8M120DF3
Bestellnummer2729672
ProduktpaletteM
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,600 € |
| 10+ | 2,280 € |
| 100+ | 1,890 € |
| 500+ | 1,690 € |
| 1000+ | 1,560 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,60 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGWA8M120DF3
Bestellnummer2729672
ProduktpaletteM
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom16A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Verlustleistung167W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteM
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
16A
Verlustleistung
167W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
M
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
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Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443
Produktnachverfolgung