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STGW30H60DFB
IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW30H60DFB
Bestellnummer2807173
ProduktpaletteHB
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,190 € |
| 10+ | 2,830 € |
| 100+ | 2,480 € |
| 500+ | 2,120 € |
| 1000+ | 1,760 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,19 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW30H60DFB
Bestellnummer2807173
ProduktpaletteHB
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom60A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.55V
Verlustleistung260W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteHB
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
60A
Verlustleistung
260W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
HB
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.55V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006604