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STGD5H60DF
IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGD5H60DF
Bestellnummer3132708
ProduktpaletteH
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,430 € |
| 10+ | 0,889 € |
| 100+ | 0,590 € |
| 500+ | 0,429 € |
| 1000+ | 0,391 € |
| 5000+ | 0,362 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGD5H60DF
Bestellnummer3132708
ProduktpaletteH
Technisches Datenblatt
Kontinuierlicher Kollektorstrom10A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.5V
Verlustleistung83W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
ProduktpaletteH
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kontinuierlicher Kollektorstrom
10A
Verlustleistung
83W
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
H
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00035
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