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STF80N1K1K6
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTF80N1K1K6
Bestellnummer4562079
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,960 € |
| 10+ | 1,450 € |
| 100+ | 1,070 € |
| 500+ | 0,897 € |
| 1000+ | 0,768 € |
| 5000+ | 0,726 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,96 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTF80N1K1K6
Bestellnummer4562079
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.1ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung21W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
21W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.1ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001