Seite drucken
STD85N10F7AG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD85N10F7AG
Bestellnummer3129813RL
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
4.582 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,050 € |
| 500+ | 0,765 € |
| 1000+ | 0,749 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
110,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD85N10F7AG
Bestellnummer3129813RL
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id70A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0085ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0085ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung85W
Verlustleistung Pd85W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteSTripFET F7
QualifikationAEC-Q101
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0085ohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
85W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
STripFET F7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0085ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Verlustleistung Pd
85W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STD85N10F7AG
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00035
Produktnachverfolgung