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STD65N55F3

Name: STMICROELECTRONICS STD65N55F3
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 1752050RL
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerSTMICROELECTRONICS

HerstellerteilenummerSTD65N55F3

Bestellnummer1752050RL

Technisches Datenblatt

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Produktspezifikationen

HerstellerSTMICROELECTRONICS

HerstellerteilenummerSTD65N55F3

Bestellnummer1752050RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds55V

Dauer-Drainstrom Id32A

Drain-Source-Durchgangswiderstand6.5ohm

Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V

Verlustleistung110W

Anzahl der Pins3Pin(s)

Betriebstemperatur, max.175°C

Produktpalette-

QualifikationAEC-Q101

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Produktbeschreibung

The STD65N55F3 is a STripFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET designed with latest refinement of unique Single Feature Size™ strip-based process. The process decreased the critical alignment steps, offering remarkable manufacturing reproducibility. The outcome is a transistor with extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.

Standard threshold drive
100% Avalanche tested
-55 to 175°C Operating junction temperature range

Anwendungen

Fahrzeugelektronik, Power-Management, Industrie

Hinweise

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

32A

Bauform - Transistor

TO-252 (DPAK)

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung

110W

Betriebstemperatur, max.

175°C

Qualifikation

AEC-Q101

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Drain-Source-Spannung Vds

55V

Drain-Source-Durchgangswiderstand

6.5ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Technische Dokumente (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Alternativen für STD65N55F3

1 Produkt(e) gefunden

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.0002

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