STB8NM60T4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,470 € |
| 500+ | 1,460 € |
| 1000+ | 1,450 € |
| 5000+ | 1,410 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
STB8NM60T4 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit MDmesh™-Technologie, der eine niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung bietet. MDmesh™ ist eine neue revolutionäre Technologie für Leistungs-MOSFETs, die das Verfahren mit mehrfachem Drain mit dem proprietären horizontalen PowerMESH™-Layout verbindet. Das daraus entstandene Produkt bietet einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand Rds(on), ein beeindruckendes dV/dt-Verhalten sowie exzellente Avalanche-Eigenschaften. Die verwendete proprietäre Strip-Technik liefert eine dynamische Gesamtleistung, die wesentlich höher als bei vergleichbaren Konkurrenzprodukten ist.
- 100% Avalanche-getestet
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten und Avalanche-Fähigkeit
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
8A
TO-263 (D2PAK)
10V
100W
150°C
-
650V
0.9ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STB8NM60T4
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat