STB6NK90ZT4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 2,610 € |
| 200+ | 1,860 € |
| 500+ | 1,680 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STB6NK90ZT4 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Z-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des Durchgangswiderstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Dieser MOSFET ergänzt das komplette Angebot an Hochspannungs-MOSFETs von ST.
- 100% Avalanche-getestet
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- Sehr niedrige intrinsische Kapazität
- Sehr gute Wiederholbarkeit bei der Herstellung
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
2.9A
TO-263 (D2PAK)
10V
140W
150°C
-
Lead (21-Jan-2025)
900V
2ohm
Oberflächenmontage
3.75V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat