STB60NF06LT4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 1,390 € |
| 200+ | 1,150 € |
| 500+ | 0,995 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STB60NF06LT4 handelt es sich um einen n-Kanal-STripFET™ II-Leistungs-MOSFET, der mithilfe des einzigartigen Single Feature Size™-Strip-basierten Verfahrens von STMicroelectronics hergestellt wird. Der Baustein zeichnet sich durch eine äußerst hohe Packungsdichte für niedrigen Durchgangswiderstand und ein robustes Avalanche-Verhalten aus. Zudem sind weniger Schritte zur Ausrichtung erforderlich, wodurch eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit in der Herstellung erzielt wird.
- Niedriger Schwellenwert
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
60A
TO-263 (D2PAK)
5V
110W
175°C
AEC-Q101
Lead (21-Jan-2025)
60V
0.014ohm
Oberflächenmontage
1V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat