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STB46NF30
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 42 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB46NF30
Bestellnummer2807184
ProduktpaletteSTripFET II
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,440 € |
| 10+ | 2,970 € |
| 100+ | 2,130 € |
| 500+ | 1,880 € |
| 1000+ | 1,740 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB46NF30
Bestellnummer2807184
ProduktpaletteSTripFET II
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds300V
Dauer-Drainstrom Id42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.063ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteSTripFET II
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STB46NF30 is a N-channel STripFET™ II power MOSFET. It has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC/DC converter for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements. Suitable for switching applications.
- Exceptional dv/dt capability, 100% avalanche tested, low gate charge
- 300V min drain-source voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 0.063ohm typ static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A, TC = 25°C)
- 42A drain current (continuous) at TC = 25°C, 300W total dissipation (TC = 25°C)
- 1oµA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 300V, TC = 125°C)
- 3200pF typ input capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 442pF typ output capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 38ns typ rise time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 46ns typ fall time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- D²PAK package, operating junction temperature range from -55 to 175°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
42A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
300V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.063ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
STripFET II
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0023
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