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STB35N65DM2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB35N65DM2
Bestellnummer2984363RL
ProduktpaletteMDmesh DM2
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,350 € |
| 500+ | 2,320 € |
| 1000+ | 2,300 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
240,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB35N65DM2
Bestellnummer2984363RL
ProduktpaletteMDmesh DM2
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.093ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.093ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung Pd250W
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh DM2
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.093ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
250W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh DM2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
32A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.093ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00138
Produktnachverfolgung