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STB140NF75T4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB140NF75T4
Bestellnummer1751977RL
ProduktpaletteSTripFET III Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 1,880 € |
| 200+ | 1,840 € |
| 500+ | 1,800 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB140NF75T4
Bestellnummer1751977RL
ProduktpaletteSTripFET III Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0075ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung310W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteSTripFET III Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STB140NF75T4 is a N-channel STripFET™ III power MOSFET. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Typically suitable for switching application.
- 75V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS =0, TCASE=25°C)
- 2 to 4V gate threshold voltage range ( VDS = VGS, ID = 250µA)
- 0.0065ohm typical static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 70A)
- 160S typical forward transconductance (VDS = 15V, ID = 70A)
- <lt/>0.0075ohm RDS(on)
- 30ns typical turn-on delay time (VDD = 38V, ID = 70A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 120A maximum source-drain current
- 115ns typical reverse recovery time (ISD = 120A, di/dt = 100A/µs, VDD = 35V, Tj = 150°C)
- 450nC typical reverse recovery charge (ISD = 120A, di/dt = 100A/µs, VDD = 35V, Tj = 150°C)
- D²PAK package, maximum operating junction temperature range from -55 to 175°C
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
310W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
STripFET III Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:France
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:France
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
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