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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB100N10F7
Bestellnummer2889915RL
ProduktpaletteSTripFET VII DeepGATE
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
50+ | 1,980 € |
200+ | 1,710 € |
500+ | 1,420 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB100N10F7
Bestellnummer2889915RL
ProduktpaletteSTripFET VII DeepGATE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0068ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung120W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteSTripFET VII DeepGATE
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
120W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0068ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
STripFET VII DeepGATE
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001905
Produktnachverfolgung