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SCTL90N65G2V
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTL90N65G2V
Bestellnummer3748721
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTL90N65G2V
Bestellnummer3748721
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.018ohm
Bauform - TransistorPowerFLAT
Anzahl der Pins5Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.2V
Verlustleistung935W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Der SCTL90N65G2V ist ein Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET, der mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt wurde. Der Baustein bietet einen äußerst niedrigen Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Der Schaltverlustverlauf verhält sich nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Typische Anwendungen umfassen: Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler, industrielle Motorsteuerung.
- Sehr schnelle und robuste integrierte Body-Diode; niedrige Kapazitäten
- Source-Messpin für höheren Wirkungsgrad
- Drain-Source-Durchbruchspannung: min. 650V bei VGS = 0V, ID = 1mA
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 24 mOhm bei VGS = 18V, ID = 40A
- Drainstrom (kontinuierlich): 40A bei TC = 25°C
- Eingangskapazität: typ. 3380pF bei VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Anstiegszeit: typ. 38ns bei VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2 Ohm, VGS = -5V bis 18V
- Gehäuse: PowerFLAT 8x8 HV
- Sperrschichttemperatur, Betrieb: -55°C bis 175°C
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.018ohm
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
PowerFLAT
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
935W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00018
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