Seite drucken
SCT30N120
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT30N120
Bestellnummer2451116
Technisches Datenblatt
834 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 17,920 € |
| 5+ | 15,900 € |
| 10+ | 13,880 € |
| 50+ | 13,840 € |
| 100+ | 13,810 € |
| 250+ | 13,770 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
17,92 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT30N120
Bestellnummer2451116
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorHiP247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung270W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Betriebstemperatur, max.
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
HiP247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
270W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008051
Produktnachverfolgung