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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT20N120
Bestellnummer2807234
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 11,800 € |
5+ | 11,600 € |
10+ | 11,400 € |
50+ | 7,770 € |
100+ | 7,660 € |
250+ | 7,550 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
11,80 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT20N120
Bestellnummer2807234
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.169ohm
Bauform - TransistorHiP247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung175W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.169ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Betriebstemperatur, max.
200°C
MSL
-
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
HiP247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
175W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00655
Produktnachverfolgung