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SCT1000N170
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT1000N170
Bestellnummer3680100
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 14,430 € |
| 5+ | 12,630 € |
| 10+ | 10,460 € |
| 50+ | 9,380 € |
| 100+ | 8,660 € |
| 250+ | 8,080 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT1000N170
Bestellnummer3680100
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id7A
Drain-Source-Spannung Vds1.7kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand1ohm
Bauform - TransistorHiP247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung96W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Betriebstemperatur, max.
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.7kV
Bauform - Transistor
HiP247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
96W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0045