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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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5+ | 11,590 € |
10+ | 10,570 € |
50+ | 10,560 € |
100+ | 9,710 € |
250+ | 8,850 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT040HU65G3AG
Bestellnummer4285873
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.055ohm
Bauform - TransistorHU3PAK
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung221W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.055ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
HU3PAK
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
221W
Produktpalette
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung