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PD57060-E
HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerPD57060-E
Bestellnummer3129596
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 51,650 € |
| 5+ | 51,070 € |
| 10+ | 50,480 € |
| 50+ | 48,170 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerPD57060-E
Bestellnummer3129596
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds65V
Dauer-Drainstrom Id7A
Verlustleistung79W
Betriebsfrequenz, min.-
Betriebsfrequenz, max.1GHz
Bauform - TransistorPowerSO-10RF
Anzahl der Pins-
Betriebstemperatur, max.165°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
65V
Verlustleistung
79W
Betriebsfrequenz, max.
1GHz
Anzahl der Pins
-
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dauer-Drainstrom Id
7A
Betriebsfrequenz, min.
-
Bauform - Transistor
PowerSO-10RF
Betriebstemperatur, max.
165°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00042
Produktnachverfolgung