IRF630
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,590 € |
| 10+ | 0,741 € |
| 100+ | 0,701 € |
| 500+ | 0,574 € |
| 1000+ | 0,559 € |
| 5000+ | 0,548 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IRF630 von STMicroelectronics ist ein 200V-n-Kanal-Mesh overlay II-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse zur Durchsteckmontage. Dieser Leistungs-MOSFET wurde entwickelt mithilfe des konsolidierten, Strip-Layout-basierten MESH OVERLAY-Verfahrens zur Verbesserung der Leistung. Der MOSFET zeichnet sich durch ein äußerst gutes dV/dt-Verhalten, sehr niedrige intrinsische Kapazitäten und eine minimierte Gate-Ladung aus.
- Drain/Source-Spannung (Vds): 200V
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom (Id): 9A
- Verlustleistung (Pd): 75W
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -65°C bis 150°C
- Gate-Schwellenspannung: 3V
- Niedriger Durchgangswiderstand: 350 mOhm bei Vgs = 10V
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
9A
TO-220
10V
100W
150°C
-
Lead (21-Jan-2025)
200V
0.4ohm
Durchsteckmontage
3V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IRF630
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat