EVSTDRIVEG600DM

Dieses Demoboard ist ausgelegt für den 600V-High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG600 mit Leistungs-MOSFET. STDRIVEG600 ist ein High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber, der optimiert wurde zum Ansteuern von Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET oder GaN-HEMT (Anreicherungstyp). Dieser Baustein verfügt über eine integrierte Bootstrap-Diode und ermöglicht die Versorgung externer Schalter mit bis zu 20V. Das EVSTDRIVEG600DM-Board ist benutzerfreundlich und ermöglicht die schnelle Evaluierung der Eigenschaften des Bausteins STDRIVEG600 beim Ansteuern des 600V-MDmesh-DM2-Leistungs-MOSFET mit Diode mit kurzer Erholzeit. Es bietet einen boardinternen, programmierbaren Totzeitgenerator und einen linearen 3.3V-Spannungsregler zum Versorgen externer Logik-Controller wie Mikrocontroller. Es sind freie Flächen enthalten, sodass das Board für die Endanwendung angepasst werden kann, z. B. separates Eingangssignal oder einfaches PWM-Signal, Verwendung einer optionalen externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder BOOT und Verwendung eines Low-Side-Messwiderstands für Peak-Current-Mode-Topologien.

• Halbbrücken-Topologie mit 600V-STDRIVEG600-Gate-Treiber
• Ausgestattet mit dem 600V-MDmesh-DM2-Leistungs-MOSFET STL33N60DM2 mit 115 mOhm und einer Diode mit kurzer Erholzeit
• MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse mit Kelvin-Quelle oder alternativer DPAK-Grundfläche
• Hochspannungsbus bis zu 450V (Kondensatorwert begrenzt)
• VCC-Gate-Treiber-Versorgungsspannung: 4.75 bis 20V
• Boardinterner, einstellbarer Totzeitgenerator
• Es können auch separate Eingänge mit externer Totzeit verwendet werden
• Boardinterner 3.3V-Regler für externe Schaltungsversorgung
• Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 20°C/W zum Evaluieren großer Stromversorgungs-Topologien
• Optionaler Low-Side-Messwiderstand