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MD15FSR120L2SF
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 129,270 € |
| 5+ | 122,070 € |
| 10+ | 113,980 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerMD15FSR120L2SF
Bestellnummer3549208
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypSechsfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins23Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung101W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
23Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
Sechsfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
101W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.2