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GD75HFY120C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 39,470 € |
| 5+ | 37,200 € |
| 10+ | 34,790 € |
| 50+ | 33,530 € |
| 100+ | 32,530 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD75HFY120C1S
Bestellnummer3912065
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
DC-Kollektorstrom117A
Dauer-Kollektorstrom117A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.7V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.7V
Verlustleistung Pd380W
Verlustleistung380W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieTrench-Transistor
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Kollektorstrom
117A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.7V
Verlustleistung
380W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
DC-Kollektorstrom
117A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.7V
Verlustleistung Pd
380W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench-Transistor
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15