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GD75HFU120C1SD
IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 37,110 € |
| 5+ | 34,970 € |
| 10+ | 32,710 € |
| 50+ | 31,520 € |
| 100+ | 30,580 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD75HFU120C1SD
Bestellnummer4312704
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauer-Kollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.8V
Verlustleistung484W
Betriebstemperatur, max.125°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussSchraubanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieNPT Ultra Fast IGBT
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.8V
Betriebstemperatur, max.
125°C
IGBT-Anschluss
Schraubanschluss
IGBT-Technologie
NPT Ultra Fast IGBT
Produktpalette
-
Dauer-Kollektorstrom
100A
Verlustleistung
484W
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15