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GD50HFX65C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 30,740 € |
| 5+ | 28,970 € |
| 10+ | 27,090 € |
| 50+ | 26,110 € |
| 100+ | 25,330 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD50HFX65C1S
Bestellnummer3912062
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauer-Kollektorstrom75A
DC-Kollektorstrom75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.45V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung205W
Verlustleistung Pd205W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo650V
IGBT-TechnologieTrench-Transistor
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Verlustleistung Pd
205W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
650V
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Dauer-Kollektorstrom
75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.45V
Verlustleistung
205W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
IGBT-Technologie
Trench-Transistor
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15