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GD400SGY120C2S
IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 83,950 € |
| 5+ | 77,900 € |
| 10+ | 70,780 € |
| 50+ | 68,210 € |
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83,95 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD400SGY120C2S
Bestellnummer3912075
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationEinfach
DC-Kollektorstrom630A
Dauerkollektorstrom630A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.65V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.65V
Verlustleistung Pd2.083kW
Verlustleistung2.083kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieTrench-Transistor
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Einfach
Dauerkollektorstrom
630A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.65V
Verlustleistung
2.083kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
DC-Kollektorstrom
630A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.65V
Verlustleistung Pd
2.083kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench-Transistor
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.3