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GD200HFY120C2S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 86,700 € |
| 5+ | 81,720 € |
| 10+ | 76,420 € |
| 50+ | 73,650 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD200HFY120C2S
Bestellnummer2986062
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauer-Kollektorstrom309A
DC-Kollektorstrom309A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)2V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2V
Verlustleistung1.006kW
Verlustleistung Pd1.006kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Die Starpower-IGBT-Module und -Arrays bieten äußerst niedrige Leitungsverluste sowie eine hohe Beständigkeit gegenüber Kurzschlüssen. Sie sind ausgelegt für Anwendungen wie universelle Wechselrichter und USV. Wichtige Funktionen und Merkmale umfassen Trench IGBT-Technologie, eine Sperrschichttemperatur von maximal 175°C und eine isolierte Grundplatte aus Kupfer unter Verwendung der DBC-Technologie.
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
309A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2V
Verlustleistung Pd
1.006kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauer-Kollektorstrom
309A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2V
Verlustleistung
1.006kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für GD200HFY120C2S
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.313704